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SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术：打造下一代HBM_我的网站

唐顿庄园

一 | 8月25日消息，日前，小米发布玄戒O3、玄戒O100、玄戒D100三款自研芯片，分别定位AI旗舰SoC、高带宽AI加速芯片和智驾高算力AI芯片。 8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。 当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。发布当晚，玄戒系列三款全新芯片登上央视财经频道。小米集团副总裁朱丹在接受采访时表示，相比玄戒O1，这一次最大的变化，是小米自研芯片从零的突破走向体系化突破。

二 |

每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。

朱丹介绍，玄戒O3在制程工艺不变的情况下，完成关键性能60%以上的提升，是全球首个突破500万分的旗舰SoC。

三 |

“这证明的不是单颗芯片的性能，更是芯片设计能力的质变，如果说O1解决的是有没有，这次三芯齐发，解决的则是强不强、全不全。

四 | 而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。”朱丹说。在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。他还提到，小米对于自研芯片的判断很明确：AI时代，算力是一切智能体验的根基，不掌握芯片能力，就无法从底层定义产品体验。前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。

面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。

因此，在朱丹看来，小米在芯片领域的长期投入并不是“烧钱”，而是在为下一个十年购买“入场券”。同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。 在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。 据央视财经报道，业内人士分析认为，国内多家企业持续加码芯片自研，通过长期高额的技术投入，完善全场景算力布局，是产业链自主可控、产业高质量发展的重要趋势。此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。